存儲芯片漲價潮愈演愈烈。
據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠(yuǎn)超市場預(yù)期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。
多家機(jī)構(gòu)分析認(rèn)為，AI浪潮驅(qū)動的“存儲芯片超級周期”正全面到來?；ㄆ祛A(yù)計，2026年動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）與閃存產(chǎn)品的平均售價或?qū)⒎謩e上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預(yù)測的53%、44%。
價格暴漲
1月25日，據(jù)韓國《電子時報》報道，今年第一季度，三星電子將NAND閃存的供應(yīng)價格上調(diào)了100%以上，這一漲幅遠(yuǎn)高于市場此前預(yù)期，凸顯了當(dāng)前存儲芯片市場嚴(yán)重的供需失衡現(xiàn)狀。
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce此前預(yù)測，2025年第四季度NAND價格漲幅為33%至38%，并預(yù)計今年第一季度將維持類似漲幅。
報道稱，據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士透露，三星電子已于2025年年底完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，并從今年1月起正式實施新的價格體系。
據(jù)報道，目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就今年第二季度的NAND價格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。
這一激進(jìn)的定價策略反映了AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)對高性能存儲設(shè)備的旺盛需求。
隨著企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）需求因數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張而爆發(fā)，以及“端側(cè)AI”推動移動設(shè)備和PC向高容量存儲升級，需求端呈現(xiàn)指數(shù)級增長。然而，供給端并未能及時跟進(jìn)，導(dǎo)致存儲芯片市場正陷入“有價無貨”的局面。
除了三星電子以外，作為NAND市場份額排名第二的巨頭，SK海力士也采取了類似的定價策略，顯示出頭部廠商強(qiáng)大的議價能力。
野村證券等海外投行指出，即使是市場排名第五的SanDisk，也計劃在新的一年將NAND價格上調(diào)100%。一位行業(yè)相關(guān)人士表示，與DRAM的情況如出一轍，NAND制造商紛紛加入漲價行列，全行業(yè)的全面提價已成定局。
在供給端，存儲芯片市場仍面臨嚴(yán)重的產(chǎn)能剛性制約。過去一年中，NAND閃存領(lǐng)域并未出現(xiàn)大規(guī)模的產(chǎn)能擴(kuò)充，主要制造商包括三星電子在內(nèi)，在投資上均保持了審慎態(tài)度，業(yè)界的共識是出貨量的增長極為有限。
鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)能建設(shè)的長周期特性，短期內(nèi)通過增加供給來平抑價格并不現(xiàn)實。
存儲芯片漲價的壓力將不可避免地向消費端傳導(dǎo)。行業(yè)觀察人士指出，不僅是AI數(shù)據(jù)中心，智能手機(jī)和PC制造商也計劃因應(yīng)內(nèi)存成本上漲而提高最終產(chǎn)品的售價。
根據(jù)日程安排，下周四（1月29日），SK海力士、三星電子將公布2025年第四季度財報。
“今年產(chǎn)能已售罄”
種種跡象表明，存儲芯片市場供應(yīng)緊張或?qū)⒊掷m(xù)。日本存儲巨頭鎧俠日前警告稱，至少在未來兩年內(nèi)，存儲市場將持續(xù)受到AI相關(guān)投資的影響。更糟糕的是，消費者將不得不為相同的產(chǎn)品支付更高的價格。
鎧俠是全球頂尖NAND閃存與SSD解決方案廠商，2018年從東芝公司分拆出來，當(dāng)前為全球第三大NAND閃存供應(yīng)商。
鎧俠存儲器事業(yè)部執(zhí)行董事中戶俊介（Shunsuke Nakato）證實，公司2026年的NAND閃存產(chǎn)能已全部售罄。
目前鎧俠正全力提升面向企業(yè)級AI場景的存儲設(shè)備性能。然而，對于個人消費者而言，這一重心傾斜卻推高了傳統(tǒng)消費級存儲產(chǎn)品的價格。
在韓國首爾的一次活動中，中戶俊介談到了當(dāng)前由AI驅(qū)動的存儲“超級周期”，并預(yù)計NAND閃存供應(yīng)緊張的局面至少會持續(xù)至2027年。
為統(tǒng)籌市場需求，鎧俠正與長期合作伙伴協(xié)調(diào)年度芯片產(chǎn)能的分配方案，而非將產(chǎn)能優(yōu)先分配給出價最高的買家，以避免市場失序。
展望未來，鎧俠預(yù)計其業(yè)務(wù)在未來數(shù)月乃至數(shù)年內(nèi)將實現(xiàn)大幅擴(kuò)張，而漲價或?qū)⒊蔀橥苿訕I(yè)務(wù)增長的重要因素。
在華爾街，花旗、摩根士丹利以及美國銀行研究團(tuán)隊一致認(rèn)為，AI浪潮驅(qū)動的“存儲芯片超級周期”全面到來，且這一輪周期的強(qiáng)度與持續(xù)時間長度可能遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于2018年的那輪“云計算時代驅(qū)動的存儲超級牛市”。
以Peter Lee為首的花旗分析師預(yù)計，2026年DRAM與閃存產(chǎn)品的平均售價或?qū)⒎謩e上漲88%、74%，漲幅高于花旗此前預(yù)測的53%、44%。
分析師指出，受AI應(yīng)用程序使用率提升，以及AI訓(xùn)練和推理專用中央處理器需求增長的推動，今年通用型存儲器產(chǎn)品預(yù)計將出現(xiàn)嚴(yán)重短缺。
野村分析師認(rèn)為，這一輪始于2025年下半年的“存儲芯片超級周期”至少延續(xù)至2027年，并且真正有意義的新增供給最早要到2028年初期才會出現(xiàn)。