我國科學家發(fā)現(xiàn)極限尺寸一維鐵電存儲結構

　　【瞧！我們的前沿科技】信息存儲技術或迎來跨越式革命

　　本報北京1月23日電(記者崔興毅)想象一下，將一萬部高清電影或二十萬段短視頻，全部塞進一張郵票大小的設備里——這不是科幻，而是我國科學家的最新成果可能帶來的真實未來圖景。23日，中國科學院物理研究所金奎娟院士、葛琛研究員、張慶華副研究員聯(lián)合團隊在《科學》期刊上發(fā)表重要研究成果——首次在三維晶體中發(fā)現(xiàn)并操控“一維帶電疇壁”，為下一代超高密度存儲與人工智能芯片奠定了科學基礎。這項成果不僅顛覆了傳統(tǒng)認知，更意味著信息存儲技術有望迎來從“二維平面”到“一維線”甚至“零維點”的跨越式革命。

　　在我們熟悉的磁鐵中，無數(shù)個微小磁針指向同一方向，從而產(chǎn)生磁性。類似的，鐵電材料內(nèi)部存在無數(shù)個“電學指南針”，它們自發(fā)指向同一極化方向，形成正負電荷分離的結構。更神奇的是，這些“電針”的方向能用外部電場翻轉，就像開關一樣，因此鐵電材料被譽為“信息存儲的明星材料”。

　　在實際材料中，這些“電針”并不會全部整齊排列，而是分成一個個方向一致的小區(qū)域，稱為“鐵電疇”，疇與疇之間的邊界就是“疇壁”。你可以把整塊材料想象成一個魔方——如果所有小方塊顏色相同，就是單一疇；如果顏色不同，疇壁就是不同色塊之間的交界面。

　　長期以來，科學界認為，在三維晶體中疇壁自然是二維的“面”。但研究團隊通過創(chuàng)新材料設計與原子尺度觀測，在螢石結構氧化鋯薄膜中，首次發(fā)現(xiàn)厚度與寬度均僅為埃米級別(約0.25納米)的一維疇壁，相當于人類頭發(fā)直徑的數(shù)十萬分之一。

　　這些一維疇壁被限制在極薄的極性晶格層內(nèi)，像一條條極其纖細的“電荷線”，其穩(wěn)定存在得益于氧離子和氧空位扮演的“原子膠水”角色。研究團隊甚至通過電子輻照產(chǎn)生的局部電場，實現(xiàn)對這類疇壁的人工寫入、移動與擦除，為將來實現(xiàn)可控電路功能邁出關鍵一步。

　　這項突破最令人興奮的，還是其應用潛力——比如存儲變革。當前商用存儲器(如硬盤、U盤)的信息記錄單元是“面”，尺寸為數(shù)十納米；傳統(tǒng)鐵電疇壁存儲單元是“線”；而本次發(fā)現(xiàn)的一維疇壁，在投影視角下相當于一個“點”。從面到線再到點，這意味著存儲密度可實現(xiàn)指數(shù)級提升，預計比現(xiàn)有技術提高數(shù)百倍，理論存儲密度可達每平方厘米20TB，真正實現(xiàn)“郵票存萬影”。

　　據(jù)了解，該研究不僅填補了鐵電物理中疇壁維度的空白，更揭示了螢石結構鐵電材料體系中極化翻轉與離子遷移之間的內(nèi)在耦合機制。這意味著，未來我們不僅能造出更小的存儲器，更有可能在一個物理器件中同時實現(xiàn)信息存儲與類腦計算，推動存算一體芯片的發(fā)展。正如團隊專家所說：“這項研究為開發(fā)具有極限密度的人工智能器件載體提供了科學基礎。”

　　作者：本報記者 崔興毅《光明日報》(2026年01月24日 04版)