近日，據韓國媒體報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應價格上調了100%以上，這一漲幅遠超市場此前預期，凸顯了當前半導體市場嚴重的供需失衡現狀。
據了解，2025年下半年以來，存儲市場價格快速上漲，也帶動了A股存儲板塊的大漲。Wind存儲器指數自2025年6月底至今的漲幅已超過100%。
綜合眾多分析機構的觀點來看，本輪價格上漲除了由AI服務器和通用服務器共同驅動，還存在著結構性的產能轉換和多個維度的需求競爭，短缺和漲價或將會持續(xù)更長時間。
AI帶動存儲需求劇增
據報道，媒體行業(yè)知情人士透露，三星電子已于2025年年底完成了與主要客戶的供應合同談判，并從2026年1月起正式實施新的價格體系。這是繼DRAM內存價格被曝上調近70%之后，存儲市場的又一重磅調價信號。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。
招商證券指出，截至2026年1月，全球存儲產業(yè)（以SSD/ NAND Flash為主，兼顧DRAM）正處在一輪明顯的漲價上行期。與過去“消費旺季—補庫存”式的短周期波動不同，本輪更像結構性緊缺：上游報價強勢回歸，下游被迫在提價、改配置、鎖單和備貨之間重新取舍。
根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新研究，AI的創(chuàng)新帶來市場結構性變化，數據的存取量持續(xù)擴大，除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產品配置，以支撐大型模型參數存取、長序列推理與多任務并行運作之外，NAND Flash也是高速數據流動的關鍵基礎元件，因此存儲器已成為AI基礎架構中不可或缺的關鍵資源，更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產能之下必須達成更多的分配，帶動報價不斷上漲，連帶使得整體存儲器產業(yè)產值逐年創(chuàng)新高，預估2026年達5516億美元，2027年則將再創(chuàng)高峰達8427億美元，年增53%。
而觀察NAND Flash領域的產值變化，由于NVIDIA（英偉達）在剛結束的2026年CES中指出，AI正在徹底重塑整個運算堆棧，隨著生成式AI邁向具備長期推理能力的代理型系統(tǒng)，AI Agent在執(zhí)行任務時需頻繁存取龐大的矢量數據庫以進行檢索增強生成（RAG），相關數據量龐大且具高度隨機存取特性，將顯著推升對高 IOPS 企業(yè)級SSD的需求，也帶動NAND Flash報價漲幅擴大，預估今年第一季將有55%—60%的季增幅，且漲勢有望持續(xù)至今年底，同步推升2026年產值年增率來到112%，產值成長至1473億美元。
綜觀整體存儲器市場，缺貨的市態(tài)尚未有緩解的可能，故合約價的話語權仍落在供應商端。展望未來，TrendForce集邦咨詢認為，AI浪潮仍在持續(xù)進化，從硬件堆棧、系統(tǒng)架構到軟件應用皆在同步推進，存儲器已是AI運算不可或缺的核心資源。在AI 服務器、高效能運算與企業(yè)級儲存需求長期支撐下，DRAM與NAND Flash合約價漲勢預期將延續(xù)至2027年，因此市場的營收成長動能有望延續(xù)至2027年。
存儲公司業(yè)績“暴增”
東莞證券指出，相關產業(yè)鏈調查顯示，2026年存儲產能空前緊張，大型云服務廠商已經提前啟動2027年供貨產能的“捆綁式談判”，將采購量、價格條件與后續(xù)年度供貨目標一起協(xié)商，最快或將于今年一季度敲定2027年供貨合同。供應端存儲三大原廠短期內難有效擴產。模組廠普遍有顆粒短缺與下游配貨壓力，業(yè)內人士表示大型模組廠實際取得的顆粒，也僅有原先需求的30%—50%；手機與PC等傳統(tǒng)應用被排至后段，多數品牌廠今年僅能取得原本50%—70%供應量。
根據Omdia數據，2026年，三星電子、SK海力士、美光科技三大DRAM原廠的晶圓總產出預計同比增長約5%達1800萬片，但仍難以滿足市場的需求。國產替代、自主可控仍是當下半導體領域的重大趨勢，全球內存芯片供給緊張，國產廠商擴產動力充足，有助于通過產能擴張實現市場份額擴張，加速國產替代進程。技術層面，3D NAND、HBM等行業(yè)前沿技術工藝不斷突破，“兩存”（長鑫存儲、長江存儲）等國產重點廠商在技術層面奮起直追，長鑫科技DDR5產品已經完成量產，性能達到國際先進水平，被廣泛應用于服務器、個人電腦等領域；LPDDR5X產品通過創(chuàng)新封裝技術和優(yōu)化內存設計，在容量、速率、功耗上都有顯著提升，最高速率較上一代提升約66%，功耗較LPDDR5降低30%。
值得關注的是，長鑫科技已正式啟動IPO，資本化提速利好后續(xù)擴產。目前，長鑫科技在合肥、北京共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，產能規(guī)模全國第一，全球第四，僅次于三星電子、SK海力士和美光科技。
據悉，該公司申報科創(chuàng)板上市擬募資295億元，用于存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目、DRAM存儲器技術升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發(fā)項目建設，合計總投資規(guī)模達345億元。同時，長鑫科技2025年前三季度營收為321億元，凈利潤為-60億元；預計全年營收為550億—580億元，凈利潤為20億—35億元；預計2025年第四季度單季度營收為229億—259億元，凈利潤為80億—95億元。
此外，本輪存儲市場的大漲價也帶動不少存儲行業(yè)公司的業(yè)績“暴增”。如佰維存儲發(fā)布的業(yè)績預告顯示，預計2025年實現營收100億元至120億元，同比增長49.4%至79.2%。2025年單四季度營收34.2億元至54.2億元，同比增長105.1%至224.9%，環(huán)比增長28.6%至103.7%。預計2025年度實現歸母凈利潤8.5億元至10億元，同比增長427.2%至520.2%，2025年單四季度歸母凈利潤預計為8.2億元至9.7億元，同比增長1225.4%至1449.7%，環(huán)比增長219.9%至278.4%。
佰維存儲在投資者關系記錄中表示，從當前來看，存儲產品價格在2026年第一季度、第二季度有望持續(xù)上漲。在供應方面，公司積極備貨，目前庫存較為充足。公司與全球主要存儲晶圓原廠繼續(xù)簽訂LTA（長期供應協(xié)議），公司北美客戶亦積極與原廠溝通，幫助公司鎖定原廠產能，有效保障關鍵原材料的穩(wěn)定供應。
責編：李丹