存儲芯片結(jié)構性失衡催生歷史級漲價
全球存儲行業(yè)正經(jīng)歷一場由AI技術驅(qū)動的深刻變局與供給危機。
市場研究機構的最新預測將2026年第一季度DRAM合同價格漲幅預期大幅上調(diào)至驚人的58%，其中服務器與移動DRAM漲幅更預計超過60%。與以往周期性波動不同，此輪短缺被行業(yè)定性為“結(jié)構性供需失衡”，存儲巨頭美光的高管甚至表示，“短缺問題在2028年前仍難以緩解”。
隨著存儲芯片進入歷史性漲價周期，A股市場資金持續(xù)交易漲價邏輯。本周，佰維存儲（688525.SH）、兆易創(chuàng)新（603986.SH）、江波龍（301308.SZ）等板塊龍頭公司股價創(chuàng)下新高，顯示機構投資者正在對存儲行業(yè)的估值邏輯進行系統(tǒng)性重估——從單純的周期博弈，轉(zhuǎn)向?qū)Τ砷L確定性與產(chǎn)業(yè)鏈地位的價值重估。
存儲供需缺口遠超預期
存儲芯片市場的供需失衡正在以超出機構預期的速度加劇。日前，美光副總裁Christopher Moore（克里斯托弗·摩爾）站在全球供應鏈角度表示：“即使投入巨資，存儲芯片短缺問題在2028年前仍難以緩解?！?/p>
瑞銀、摩根大通等外資機構也一致表達了存儲芯片漲價將持續(xù)的觀點。UBS甚至表示，“存儲半導體正步入未知領域”，該機構預測2026年第一季度DDR合同價格環(huán)比上漲58%（此前預測為30%），NAND閃存環(huán)比上漲27%（此前預測為20%）。
瑞銀表示，注意到供應商之間存在差異（部分供應商在2025年第四季度更為激進），應用領域也有所不同，預測2026年第一季度服務器DDR5合同價格環(huán)比上漲60%，移動DRAM環(huán)比上漲62%，而PC DRAM漲幅預計相對滯后，為45%。
針對傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品供應短缺，海外巨頭的普遍方式是提價，三星與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%~70%，賣方市場的強勢地位使供應商對2026年第二季度進一步漲價充滿信心。
值得關注的是，美光正籌劃以收購方式擴產(chǎn)DRAM。公司近期宣布，將以總價18億美元現(xiàn)金收購力積電位于中國臺灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠廠房及廠務設施。美光預計，此次收購將有助于其從2027年下半年開始顯著提高DRAM晶圓產(chǎn)量。
本輪存儲芯片的漲價成為歷史上最為強勁的漲價周期之一，空前漲幅背后的核心驅(qū)動力是AI模型與推理場景的爆發(fā)式增長，AI數(shù)據(jù)中心的存儲需求占比已躍升至市場的50%~60%，存儲廠商將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5等高端產(chǎn)品，而大幅削減傳統(tǒng)存儲芯片的供應，導致傳統(tǒng)產(chǎn)品供需失衡。
由于全球存儲原廠剛剛從2023年~2024年的“暴跌、虧損與削減產(chǎn)能”中恢復，頭部廠商維持著相對克制的擴產(chǎn)策略，這既有行業(yè)周期性帶來的歷史教訓，也有技術代際切換造成的客觀限制。相比前一輪“缺芯潮”中海外原廠動輒千億級別的擴產(chǎn)，本輪存儲周期的供給端反應遠遠跟不上需求的爆發(fā)，進一步推升了價格上漲。
業(yè)內(nèi)分析指出，此輪存儲芯片短缺的根本原因在于“物理上無法滿足的復雜性”。隨著AI大模型、人形機器人和上下文窗口推理系統(tǒng)的快速發(fā)展，客戶需求從單一規(guī)格、穩(wěn)定出貨轉(zhuǎn)變?yōu)槎嘁?guī)格、快速變化，這使生產(chǎn)線面臨前所未有的調(diào)整壓力。
國產(chǎn)龍頭獲價值重估
與上一輪存儲“缺芯”不同的是，這輪存儲芯片的漲價還伴隨著技術迭代與產(chǎn)品創(chuàng)新共振，這一變化趨勢推動機構投資者以全新的視角看待A股存儲相關上市公司，漲價邏輯直接映射到相關企業(yè)的估值邏輯上。
周五（1月16日），A股存儲芯片板塊大漲，江波龍、佰維存儲、兆易創(chuàng)新等龍頭股均創(chuàng)歷史新高，封裝龍頭長電科技（6010584.SH）、通富微電（002156.SZ）等雙雙漲停。
可以看出，資金交易存儲漲價的邏輯主要為兩大方向：其一，對于以兆易創(chuàng)新、佰維存儲為代表的傳統(tǒng)存儲芯片龍頭企業(yè)，市場密切關注產(chǎn)品漲價對其業(yè)績量價齊升的帶動效應；其二，在國產(chǎn)先進封裝環(huán)節(jié)，AI的新增需求推動存儲產(chǎn)品自身結(jié)構及其模組結(jié)構持續(xù)迭代，新的存儲產(chǎn)品組合不斷涌現(xiàn)，更催生了全新業(yè)務模式。
“AI要求存儲具有大容量和高帶寬的特點，邊緣、端側(cè)更強調(diào)存儲低延遲、高性能和小尺寸，因此需在芯片設計、先進封裝、測試設備等多個技術領域適應AI時代，生產(chǎn)出滿足更大容量、更高性能、更低功耗、更小尺寸的綜合要求的產(chǎn)品。”一位TMT行業(yè)分析師對第一財經(jīng)說，“市場交易存儲的邏輯不只是漲價，還包括技術迭代、產(chǎn)品創(chuàng)新、AI端側(cè)落地等方面的預期，比如存儲與先進封裝的深度整合?！?/p>
存儲板塊估值提升的背后，是漲價直接地改善了企業(yè)的盈利基本面。佰維存儲近日發(fā)布2025年業(yè)績預告，預計全年營收、凈利潤均刷新歷史高點。公司預計去年實現(xiàn)營業(yè)收入100億元至120億元，同比增長49.36%至79.23%；實現(xiàn)歸母凈利潤8.5億元至10億元，同比增長427.19%至520.22%。
從單季度看，佰維存儲預計2025年第四季度實現(xiàn)歸母凈利潤8.19億元至9.69億元，環(huán)比增長219.89%至278.43%。對于業(yè)績大幅增長的原因，佰維存儲表示，從2025年第二季度開始，隨著存儲價格企穩(wěn)回升，公司重點項目逐步交付，在AI新興端側(cè)領域保持高速增長趨勢，銷售收入和毛利率逐步回升，經(jīng)營業(yè)績逐步改善。
此外，本輪漲價的驅(qū)動邏輯（AI結(jié)構性需求）賦予了存儲公司難得的“成長性溢價”。與過去單純由供需錯配導致的周期性漲價不同，此輪需求的核心來自AI服務器、高端算力、AI端側(cè)落地等具備長期成長空間的賽道。這意味著，相關企業(yè)的收入增長可見度和持續(xù)性被大幅上調(diào)。
“存儲漲價周期的可持續(xù)性預期，拉長了估值提升的時間維度。預計2026年DRAM市場供需關系仍將保持緊張。國內(nèi)存儲模組、存儲芯片以及主控/配套芯片等產(chǎn)業(yè)鏈上各個環(huán)節(jié)廠商均有望受益于周期上行帶來的量價齊升。建議漲價邏輯充分演繹后，密切關注AI端側(cè)落地及相關新增需求為產(chǎn)業(yè)鏈帶來的成長機遇?！鼻笆龇治鰩熝a充說。