美股芯片股，集體大漲！
當(dāng)?shù)貢r間周五，美股三大指數(shù)全線上漲，標(biāo)普500指數(shù)收盤創(chuàng)新高。存儲芯片、半導(dǎo)體板塊集體大漲。其中，閃迪大漲超12%，股價再創(chuàng)歷史新高。自去年4月下旬以來，閃迪股價累計(jì)漲幅超過1100%。
其他個股方面，周五當(dāng)天，英特爾漲超10%，拉姆研究漲近9%，應(yīng)用材料、西部數(shù)據(jù)漲近7%，阿斯麥漲超6%，美光科技漲超5%，博通漲近4%。
再創(chuàng)新高！閃迪股價大幅拉升
美東時間周五（1月9日），存儲芯片大牛股閃迪的股價再度爆發(fā)。當(dāng)天美股開盤后，閃迪的股價直線拉升，隨后全天維持高位震蕩。截至美股收盤，閃迪股價上漲12.81%報(bào)377.41美元/股，再創(chuàng)歷史新高，總市值也突破了550億美元。
當(dāng)天，在閃迪的帶動下，其他存儲概念股也大幅走高，美光科技漲超5%，西部數(shù)據(jù)、希捷科技漲近7%。
從消息面來看，有關(guān)“閃迪企業(yè)級閃存芯片報(bào)價或翻倍”的消息，是刺激該公司股價上漲的主要原因。野村證券的分析師預(yù)計(jì)，為應(yīng)對未來幾個季度服務(wù)器級存儲的強(qiáng)勁需求，閃迪可能在本季度將其面向企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的大容量3D NAND閃存價格上調(diào)一倍。目前，尚不清楚此次高容量3D NAND提價將在多大程度上影響用于消費(fèi)設(shè)備的主流閃存報(bào)價。
野村證券在給客戶的一份報(bào)告中寫道：“渠道調(diào)查顯示，多家存儲供應(yīng)商持續(xù)推高產(chǎn)品價格，其中企業(yè)級NAND的漲幅尤為激進(jìn)。閃迪用于企業(yè)級SSD的NAND產(chǎn)品據(jù)稱在本季度環(huán)比漲幅可能超過100%?！币按遄C券將漲價歸因于兩方面因素：一是短期供應(yīng)短缺，二是受人工智能（AI）整體發(fā)展推動的中期需求增長，特別是AI存儲架構(gòu)的變化。
野村證券的報(bào)告提到，英偉達(dá)是這一輪閃存芯片漲價的主要推手。英偉達(dá)的推理上下文內(nèi)存存儲平臺（ICMSP）是今年企業(yè)級存儲需求的重要驅(qū)動因素之一。該平臺基于BlueField-4 DPU，并配備一塊512GB SSD，用于承載KV緩存。在VR NVL144機(jī)架中，每一個計(jì)算托盤都配備了一顆帶有512GB硬盤的BlueField-4數(shù)據(jù)處理單元。這意味著每個機(jī)架共包含18顆DPU，對應(yīng)9.216TB的3D NAND容量。也就是說，假設(shè)英偉達(dá)每年出貨5萬套VR NVL144機(jī)架，那么該公司就需要從供應(yīng)鏈中獲得約0.439EB（艾字節(jié)）的3D NAND。
近日，美國銀行將閃迪的目標(biāo)價從300美元上調(diào)至390美元，并給予“買入”評級。在英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛于2026年國際消費(fèi)電子展（CES）上發(fā)布Vera Rubin平臺之后，分析師們對該平臺中NAND在AI基礎(chǔ)設(shè)施中所扮演角色的看法愈發(fā)樂觀。
另外，1月9日，有供應(yīng)鏈消息稱，NAND閃存廠商閃迪向客戶提出需全額現(xiàn)金預(yù)付款以換取1至3年供應(yīng)保障的新合同模式。盡管條款嚴(yán)苛引發(fā)爭議，但因AI需求激增及原廠擴(kuò)產(chǎn)周期長，部分云服務(wù)商仍考慮接受。目前該合同已用于與PC、手機(jī)及模組廠商的談判中。
本周早些時候，有報(bào)道稱，三星電子和SK海力士計(jì)劃在第一季度將服務(wù)器內(nèi)存價格最高上調(diào)至70%，AI需求的激增正沖擊全球供應(yīng)鏈格局。
機(jī)構(gòu)：關(guān)注存儲超級周期下國產(chǎn)化機(jī)遇
近日，英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛在CES 2026發(fā)表演講，介紹了英偉達(dá)的下一代AI平臺Rubin，是首個采用極致協(xié)同設(shè)計(jì)、集成六款芯片的AI平臺，現(xiàn)已全面量產(chǎn)。Rubin平臺組件從數(shù)據(jù)中心向外構(gòu)建，涵蓋Rubin GPU、Vera CPU、NVLink 6、Spectrum-X Ethernet Photonics、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU。黃仁勛介紹了AI原生存儲平臺，NVIDIA推理上下文記憶存儲平臺是AI原生的鍵值（KV）緩存層，可提升長上下文推理性能，實(shí)現(xiàn)每秒token數(shù)提升5倍、單位總擁有成本（TCO）性能提升5倍、能效提升5倍。
國泰海通證券表示，英偉達(dá)推理上下文記憶存儲平臺的推出將進(jìn)一步加大存儲供給的緊張狀態(tài)，預(yù)計(jì)2026年一季度NAND和DRAM合約價將分別環(huán)比增長33%—38%、55%—60%；國內(nèi)長鑫科技的招股說明書披露也預(yù)示著公司離上市又進(jìn)一步，本輪存儲產(chǎn)業(yè)的超級大周期將驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料公司持續(xù)成長。
國開證券建議關(guān)注存儲超級周期下國產(chǎn)化機(jī)遇。該券商指出，AI驅(qū)動下存儲迎來新一輪上行周期。據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2025年10月全球半導(dǎo)體銷售額創(chuàng)下727億美元的歷史新高，同比增速達(dá)27.2%。其中，存儲芯片作為核心驅(qū)動力，預(yù)計(jì)2025年全年實(shí)現(xiàn)28%的強(qiáng)勁增長。不同于以往由消費(fèi)電子出貨量驅(qū)動的周期，本輪復(fù)蘇呈現(xiàn)出明顯的“AI 導(dǎo)向”特征，直接推動了高端HBM及高層數(shù)NAND持續(xù)放量，行業(yè)確立“量價齊升”格局。
東方證券也建議重視存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化機(jī)遇。存儲供不應(yīng)求持續(xù)，同時海外存儲巨頭在通用存儲方面的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度可能有限，為國內(nèi)存儲廠商擴(kuò)產(chǎn)、提升份額帶來歷史性機(jī)遇。技術(shù)方面，在DRAM領(lǐng)域，長鑫科技于2025年11月推出DDR5產(chǎn)品，在峰值速率等主流技術(shù)參數(shù)上達(dá)到國際一線水平；在NAND領(lǐng)域，長江存儲自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了3D NAND技術(shù)的跨越式發(fā)展。在IPO進(jìn)度方面，長鑫科技IPO已獲受理，長江存儲的母公司長存集團(tuán)于2025年9月完成股份制改革。長江存儲、長鑫科技未來推進(jìn)融資后有望實(shí)現(xiàn)較大的擴(kuò)產(chǎn)體量，產(chǎn)業(yè)鏈上下游有望深度受益。