專(zhuān)題：布局2026：周期與制造引領(lǐng) 中盤(pán)藍(lán)籌迎升機(jī)
繼GPU之后，AI引爆的投資焦點(diǎn)正順延至存儲(chǔ)芯片，掀起新一輪IPO熱潮。
1月6日晚間，紫光國(guó)芯（874451.NQ）公告表示，陜西證監(jiān)局對(duì)該公司報(bào)送的向不特定合格投資者公開(kāi)發(fā)行股票并在北京證券交易所上市輔導(dǎo)備案文件予以受理，該公司自2026年1月5日進(jìn)入輔導(dǎo)期。
同樣在近日，國(guó)內(nèi)最大的DRAM企業(yè)長(zhǎng)鑫科技的科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)已正式獲得受理，內(nèi)存接口芯片企業(yè)瀾起科技（688008.SH）也已通過(guò)港股IPO聆訊，還有多家垂直細(xì)分領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正在排隊(duì)或已處于上市進(jìn)程中。
DRAM Fabless廠(chǎng)商沖刺北交所
紫光國(guó)芯是國(guó)產(chǎn)DRAM設(shè)計(jì)的領(lǐng)先企業(yè)之一，其前身可追溯至2004年成立的德國(guó)英飛凌西安研發(fā)中心存儲(chǔ)器事業(yè)部。
該公司于2009年被浪潮集團(tuán)收購(gòu)并改制更名為西安華芯，后于2015年被紫光集團(tuán)旗下紫光國(guó)微收購(gòu)，更名為西安紫光國(guó)芯。在2023年完成股份制改制后，紫光國(guó)芯于2024年登陸新三板，并于2025年升入創(chuàng)新層。
紫光國(guó)芯開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品覆蓋標(biāo)準(zhǔn)SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移動(dòng)用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷(xiāo)售；存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品包括服務(wù)器內(nèi)存模組（RDIMM）、筆記本內(nèi)存模組（SODIMM）和臺(tái)式機(jī)內(nèi)存模組（UDIMM），四十余款模組產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷(xiāo)售。
在傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品業(yè)務(wù)以外，該公司還開(kāi)發(fā)出了三維堆疊DRAM（SeDRAM）技術(shù)，并開(kāi)發(fā)了超大帶寬、超低功耗的堆疊大帶寬系列產(chǎn)品。開(kāi)源證券指出，該產(chǎn)品結(jié)合了公司所掌握的DRAM芯片和邏輯芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為近存計(jì)算、人工智能、高性能計(jì)算等提供了創(chuàng)造性的存儲(chǔ)方案。
在DRAM存儲(chǔ)市場(chǎng)量?jī)r(jià)齊升的2025年，上半年紫光國(guó)芯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.5億元，較上年同期增長(zhǎng)38.64%；歸屬掛牌公司股東的凈利潤(rùn)568.3萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)139.54%，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。
值得一提的是，不同于DRAM行業(yè)普遍采取的IDM模式，紫光國(guó)芯采用了Fabless模式。
但在NOR Flash等其他存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，F(xiàn)abless模式較為常見(jiàn)。國(guó)金證券研究指出，在市場(chǎng)需求旺盛、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈情況下，F(xiàn)abless更具靈活性。如在國(guó)際存儲(chǔ)器龍頭紛紛退出NOR Flash和SLC NAND中低端市場(chǎng)的背景下，在市場(chǎng)缺口競(jìng)爭(zhēng)中，兆易創(chuàng)新憑借Fabless輕資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)模式，市場(chǎng)占有率快速提升。
存儲(chǔ)芯片企業(yè)排隊(duì)IPO
不止紫光國(guó)芯，多家存儲(chǔ)芯片企業(yè)也正推進(jìn)上市計(jì)劃。
國(guó)內(nèi)最大的DRAM企業(yè)長(zhǎng)鑫科技于2025年12月30日披露科創(chuàng)板上市招股說(shuō)明書(shū)，其IPO申請(qǐng)已進(jìn)入“預(yù)先審閱”流程。該公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠(chǎng)，根據(jù)Omdia，按照產(chǎn)能和出貨量統(tǒng)計(jì)，其已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠(chǎng)商。
同樣在2025年12月，證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)披露，深圳三地一芯電子股份有限公司、深圳市時(shí)創(chuàng)意電子股份有限公司均在深圳證監(jiān)局辦理上市輔導(dǎo)備案登記。前者專(zhuān)注于NAND Flash存儲(chǔ)控制芯片，后者產(chǎn)品及業(yè)務(wù)涵蓋嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存模組及移動(dòng)存儲(chǔ)。
還有存儲(chǔ)廠(chǎng)商將目光瞄準(zhǔn)了港股。
1月5日，瀾起科技在港交所更新聆訊后資料集，代表該公司港交所IPO通過(guò)聆訊。該公司是全球僅有的三家能量產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存接口芯片的企業(yè)之一。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按收入計(jì)算，該公司在2024年位居全球最大的內(nèi)存互連芯片供應(yīng)商，市場(chǎng)份額達(dá)36.8%。
兆易創(chuàng)新（603986.SH）已于2025年12月31日至2026年1月8日啟動(dòng)招股。該公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)在NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM和MCU四大領(lǐng)域均躋身全球前十的Fabless設(shè)計(jì)公司。
此外在2025年12月，浙江力積存儲(chǔ)科技股份有限公司在港交所更新招股書(shū)。該公司專(zhuān)注于利基DRAM市場(chǎng)，根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按2024年利基DRAM收入計(jì)，力積存儲(chǔ)在全球利基DRAM市場(chǎng)的中國(guó)內(nèi)地公司中排名第四。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)突圍戰(zhàn)
但一直以來(lái)，全球DRAM競(jìng)爭(zhēng)格局頗為集中，主要被三星、SK海力士和美光三大國(guó)際巨頭所壟斷。
國(guó)產(chǎn)DRAM廠(chǎng)商里，長(zhǎng)鑫科技正逐步進(jìn)入主要廠(chǎng)商陣營(yíng)。根據(jù)Omdia，2024年三星電子、SK海力士、美光科技合計(jì)占全球DRAM市場(chǎng)90%以上的份額；若按25Q2的DRAM銷(xiāo)售額統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)鑫科技的全球市場(chǎng)份額已增至3.97%。
除了規(guī)模壁壘，在高端產(chǎn)品性能方面，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)與國(guó)際一線(xiàn)梯隊(duì)也存在差距。如在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士已大規(guī)模量產(chǎn)DDR5，并積極布局DDR6及更先進(jìn)的制程工藝，甚至在HBM（高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域形成了暫時(shí)的壟斷。相比之下，國(guó)產(chǎn)DRAM目前的主力產(chǎn)品仍集中在DDR4及LPDDR4X等成熟制程。
而自2025年以來(lái)，存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性變革。這一變革不僅重塑了國(guó)際巨頭的競(jìng)爭(zhēng)版圖，更為蟄伏已久的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠(chǎng)商提供了歷史性突圍窗口。
從傳統(tǒng)市場(chǎng)來(lái)看，盡管智能手機(jī)與PC等傳統(tǒng)市場(chǎng)需求受宏觀經(jīng)濟(jì)影響增速有所放緩，但汽車(chē)電子、智能駕駛和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求正在快速增長(zhǎng)，特別是車(chē)規(guī)級(jí)DRAM的需求明顯提升。
從新興市場(chǎng)看，AI服務(wù)器對(duì)高帶寬、大容量DRAM的需求迅速攀升，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片向高性能、低功耗、低延遲方向迭代升級(jí)。這種需求的碎片化和差異化，打破了以往國(guó)際原廠(chǎng)憑借標(biāo)準(zhǔn)品規(guī)模通吃的局面，迫使市場(chǎng)更加細(xì)分。
東方證券研究指出，目前國(guó)際領(lǐng)先DRAM企業(yè)已進(jìn)入制程節(jié)點(diǎn)微縮瓶頸，新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中面臨的成本巨幅增長(zhǎng)與物理極限的逼近問(wèn)題導(dǎo)致工藝難度大幅提升?；诖?，DRAM廠(chǎng)商正積極嘗試4F2結(jié)構(gòu)、CBA（CMOS directly Bondedo Array）等新技術(shù)解決方案。
在新技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)上，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商與國(guó)際前三家廠(chǎng)商均處于探索階段，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商有望通過(guò)產(chǎn)品與技術(shù)的革新逐步縮小與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距，甚至實(shí)現(xiàn)部分技術(shù)與產(chǎn)品的彎道超車(chē)。
（作者：孫燕 編輯：卜羽勤）