韓國芯片制造商 SK 海力士于本周二宣布，將斥資 19 萬億韓元（約合 129 億美元），在韓國本土興建一座先進芯片封裝廠，以滿足人工智能領域持續(xù)攀升的存儲芯片需求。

　　該公司在一份聲明中表示，新工廠的建設工作將于今年 4 月啟動，預計在明年年底前竣工。

　　SK 海力士指出，全球人工智能領域的競爭日趨激烈，正推動人工智能專用存儲芯片的需求激增，這也凸顯出公司需主動應對高帶寬存儲芯片（HBM）需求增長的必要性。

　　高帶寬存儲芯片（HBM）是一種動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標準，于 2013 年首次實現量產。這種技術通過芯片垂直堆疊的方式，實現節(jié)省空間與降低功耗的效果，能夠助力處理復雜人工智能應用所產生的海量數據。

　　麥格理證券研究部的數據顯示，作為英偉達的主要高帶寬存儲芯片供應商，SK 海力士在 2025 年的高帶寬存儲芯片市場中占據主導地位，市占率高達 61%；三星電子與美光科技緊隨其后，市占率分別為 19% 與 20%。