1月8日，三星電子公司發(fā)布了未經(jīng)審計的初步業(yè)績，數(shù)據(jù)顯示，2025年第四季度公司營業(yè)利潤達到20萬億韓元（約合138億美元），同比飆升208.2%，環(huán)比增長64.3%；銷售額同比增長22.7%至93萬億韓元。這兩項數(shù)據(jù)均創(chuàng)下公司歷史新高，這也是該公司有史以來第一次實現(xiàn)季度營業(yè)利潤突破20萬億韓元。三星電子計劃于1月29日正式發(fā)布包含凈利潤和各部門詳細的完整財務報表，屆時將能更清晰地看到各業(yè)務板塊的表現(xiàn)。

　　回溯歷史數(shù)據(jù)，三星電子此前的單季營業(yè)利潤峰值為2018年第三季度創(chuàng)下的17.6萬億韓元，此次20萬億韓元的業(yè)績不僅打破了這一保持多年的紀錄，更較上年同期的6.49萬億韓元實現(xiàn)翻倍以上增長，增速遠超市場此前預期的16.9萬億韓元。

　　三星電子第四季度業(yè)績的爆發(fā)式增長，主要來自AI需求激增引發(fā)的全球存儲芯片漲價潮。近年來，全球人工智能產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，尤其是大模型訓練、數(shù)據(jù)中心擴容等需求的爆發(fā)式增長，使得存儲芯片從通用電子配件升級為戰(zhàn)略核心資源，其中高帶寬內(nèi)存（HBM）、DDR5等高端存儲產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長。

　　AI服務器對存儲芯片的需求量達到普通服務器的8至10倍。這導致高端存儲芯片供應陷入嚴重短缺，引發(fā)價格“失控式”上漲。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，自2025年9月以來，DDR5內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨價格暴漲307%，DDR4漲幅也超158%，第四季度全球一般型DRAM價格季增8%—13%，若計入HBM則漲幅擴大至13%—18%；NAND Flash各類產(chǎn)品合約價全面上漲，平均漲幅達5%—10%。

　　作為全球最大的內(nèi)存芯片制造商，三星電子通過產(chǎn)能結構優(yōu)化抓住了這一輪漲價紅利。公司大幅縮減消費級通用存儲芯片的產(chǎn)能，將資源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利產(chǎn)品的生產(chǎn)，尤其是在HBM領域實現(xiàn)關鍵突破。三星電子公司此前在HBM領域一度落后于競爭對手SK海力士和美光科技，而目前這一差距正在縮小。受此影響，三星股價在2025年上漲了125%，創(chuàng)下26年來最大年度漲幅。

　　根據(jù)最新報道，三星電子已于2025年向英偉達交付其尖端的HBM4樣品進行資格測試，公司也有望在2026年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)，以支持英偉達即將推出的Rubin處理器。CLSA預計，隨著HBM4進入商業(yè)供應階段，三星的HBM總出貨量將在2026年增加兩倍。